Eelectroformed 허브 다이 싱 블레이드는 실리콘 웨이퍼, 구리 웨이퍼, IC / LED 패키지, 화합물 반도체 웨이퍼 (GaAs, Gap), 산화물 웨이퍼 (LiTaO3), 광학 유리 절단에 사용됩니다.
전주식 허브 다이 싱 블레이드는 초박형 다이아몬드 휠과 고정밀 알루미늄 합금 허브를 사용하여 만들어집니다.
절단 실리콘 웨이퍼, 구리 웨이퍼, IC / LED 패키지, 화합물 반도체 웨이퍼 (GaAs, Gap), 산화물 웨이퍼 (LiTaO3), 광학 유리
* 블레이드 수명과 가공 품질 간의 균형 향상 (특히 뒷면 치핑)
* 고부하 조건에서 강성 강화, 물결 모양 절단 및 블레이드 마모 감소
* 다이아몬드 입자 크기, 다이아몬드 농도 및 니켈 결합 경도를 정밀하게 제어하여 가장자리 분할을 줄입니다.
* 레이저 그루브 가공 후 고속 웨이퍼 절단 실현
노출 (μm) | 380 | 510 | 640 | 760 | 890 | 1020 | 1150 | 1270 | 입자 크기 |
절단 폭 (μm) | 380-510 | 510-640 | 640-760 | 760-890 | 890-1020 | 1020-1150 | 1150-1270 | 1270-1400 | # 5000 # 4800 # 4500 # 4000 # 3500 # 3000 # 2500 # 2000 # 1800 # 1700 # 1500 |
16-20 | 20 * 380 | 20 * 510 | |||||||
21-25 | 25 * 380 | 25 * 510 | 25 * 640 | ||||||
26-30 | 30 * 380 | 30 * 510 | 30 * 640 | 30 * 760 | 30 * 890 | 20 * 1020 | |||
31-35 | 35 * 380 | 35 * 510 | 35 * 640 | 35 * 760 | 35 * 890 | 35 * 1020 | |||
36-40 | 40 * 380 | 40 * 510 | 40 * 640 | 40 * 760 | 40 * 890 | 40 * 1020 | 40 * 1150 | ||
41-50 | 50 * 380 | 50 * 510 | 50 * 640 | 50 * 760 | 50 * 890 | 50 * 1020 | 50 * 1150 | ||
51-60 | 60 * 510 | 60 * 640 | 60 * 760 | 60 * 890 | 60 * 1020 | 60 * 1150 | 60 * 1270 | ||
61-70 | 70 * 640 | 70 * 760 | 70 * 890 | 70 * 1020 | 70 * 1150 | 70 * 1270 | |||
71-80 | 80 * 890 | 80 * 1020 | 80 * 1150 | 80 * 1270 | |||||
81-90 | 90 * 1020 | 90 * 1150 | 90 * 1270 |